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Diodes新型 MOSFET离板高度减半
发表日期:2012-05-17 10:04:04 来源: 作者: 【 】 浏览:1544次 评论:0

    Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度,较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。

    DMP2039UFDE4针对负载开关应用,为电路设计人员提供3kV的电路保护,以免受人体本身的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有低典型RDS(on) 的特性,例如  -12V P通道的DMP1022UFDE,在4.5V的VGS下只有13mΩ,使电池充电应用的传导损耗减至最少。

    20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降压及升压转换器内,成为理想的负载开关或高速开关,并提供2kV的高静电放电保护。DMN6040UFDE将会是首批采用DFN2020封装的高电压MOSFET之一,在60V的VDS下运行,并适合应用于系统微型化设计行业 (Small form-factor industrial) 及供热通风与空气调节系统 (HVAC) 控制。

    新产品特别适合应用于极纤巧的便携式产品设计,例如智能手机、平板电脑及数码相机。首批MOSFET系列九款产品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

 

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Tags:Diodes 新型 MOSFET 高度 减半 责任编辑:博趣
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