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Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能
发表日期:2015-10-12 08:50:44 来源: 作者: 【 】 浏览:1398次 评论:0

 

151012-MOSFET-SiHH11N60E.jpg节省空间的MOSFET可替换TO-253 (D2PAK)封装的器件,适用于通信、服务器、计算机、照明和工业应用 

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 10 12 日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600VE系列功率MOSFET---SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E。新的Vishay Siliconi   SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK8x8封装符合RoHS,无卤素,完全无铅,可替换传统的TO-220TO-263封装的产品,达到节省空间的效果。

    PowerPAK® 8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的Kelvin源极连接脚,把栅极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现L x di / dt电压降,避免施加到E系列MOSFET上的栅极驱动电压出现跌落,从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。

    SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V电压下导通电阻低至0.135Ω,栅极电荷低至31nC。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。这些数值意味着极低的传导和开关损耗,在功率因数校正、反激式转换器,服务器和通信电源的双开关正激转换器,HID和荧光镇流器照明,消费和计算设备电源适配器,电机驱动、太阳能电池逆变器,以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。

     这些MOSFET可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲,保证极限值100%通过UIS测试。

 器件规格表:

产品编号

VDS (V)

VGS (V)

ID (A) @ 25 °C

RDS(ON) (Ω) @ 10 V (max.)

Qg (nC) @ 10 V

(typ.)

CISS typ.

(pF)

SiHH26N60E

600

± 30

25

0.135

77

2815

SiHH21N60E

600

± 30

20

0.176

55

2015

SiHH14N60E

600

± 30

16

0.228

41

1416

SiHH11N60E

600

± 30

11

0.339

31

1076

SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周。

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Tags:Vishay 600V 系列 MOSFET 利用 Kelvin 连接 实现 更好 性能 责任编辑:sheila
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